被看好的3D DRAM
技術背景與發展趨勢
3D DRAM 是一種透過垂直堆疊結構來提升存儲密度與性能的技術，其發展旨在解決傳統 DRAM 在小型化、功耗與存取速度方面的瓶頸。隨著芯片小型化與集成化趨勢加劇，傳統 DRAM 已難以滿足當前應用需求，3D DRAM 因其高帶寬、低功耗與高密度的優勢，成為產業關注的焦點。
產業參與與技術進展
全球主要存儲廠商如三星、海力士與美光積極佈局 3D DRAM，透過垂直堆疊技術提升存儲單元的容量與性能。SK 海力士表示，採用 3D DRAM 製程設計，可有效降低 EUV 製程的成本與技術門檻，並加速產品商業化進程。
應用場景與市場潛力
3D DRAM 在端側 AI、邊緣計算與車用電子等領域具有廣泛應用潛力。尤其在 AI 硬件落地的推動下，對高帶寬、低成本存儲的需求快速上升，3D DRAM 被視為滿足此需求的關鍵技術之一。根據預測，2026 年將成為 3D DRAM 放量的元年，市場需求將持續成長。
技術挑戰與商業化路徑
儘管 3D DRAM 潛力巨大，但其商業化仍需克服多項技術難題，包括製程穩定性、良率控制、熱管理與成本結構等問題。此外，如何實現高密度堆疊與長期穩定運作，仍是產業界與學界共同面對的挑戰。
國產發展與產業機會
隨著 3D DRAM 技術的興起，國內廠商如旺宏亦積極投入相關技術研發，例如其獨有的 3D NOR CIM 技術，並計畫於 2027 年推出 3D DRAM 產品，預計毛利率達 50%，EPS 增長至 100，顯示國產 DRAM 有望在未來迎來重大轉折。