不用EUV，也能做3nm？
技術背景與發展動向
瑞典初創公司AlixLabs提出了一條替代極紫外光刻（EUV）技術的路徑，利用原子層刻蝕節距分裂技術，試圖在不使用EUV的情況下實現5nm甚至3nm的圖形化。
該技術透過原子級「分裂」取代多次光刻，雖無法完全取代EUV，但讓更多廠商得以觸及先進製程，被視為為半導體產業開了一條「省錢通道」。
現有技術與限制
在缺少EUV光刻機的情況下，國內半導體產業需依賴DUV技術實現更先進的工藝，技術挑戰極大。
採用DUV的多次曝光方式雖能實現3nm級別的製程，但會顯著增加製程步驟，導致良率與生產效率下降。
產業應用與展望
市場認為，在3nm製程上也可能採用類似方法，但相較於EUV，DUV多次曝光方式會大幅增加製程複雜度，影響整體生產效率。
有報導指出，浸潤式DUV光刻機在製造5nm芯片時問題不大，理論上也可用於3nm，但需多次曝光，將導致製造效率降低。
此外，華為被報導在三年前獲得一項無需極紫外線（EUV）光刻工具即可製造2奈米晶片的新技術專利，此技術被解讀為可能突破EUV依賴。