三星電子前員工洩露半導體技術被判刑

案件概述

涉嫌向中國長鑫存儲洩露半導體技術的一名前三星電子研究人員，於22日遭首爾法院一審判處有期徒刑7年。

洩露細節與損失評估

韓國檢方指出，三星電子因此蒙受巨額損失，光是2024年銷售額就減少5兆韓元（約新臺幣1050億元）。該前員工涉嫌將三星電子斥資1.6萬億韓圜研發的動態隨機存取記憶體（DRAM）工藝技術洩露給華企，藉此獲利29億韓圜。

相關背景

三星電子前經理金某此前曾被送上法庭，在第二審中，他因在2016年向長鑫存儲過渡期間洩露與核心流程相關的技術數據而被判處6年有期徒刑和2億韓元罰款。此次一審判決為7年有期徒刑。

技術細節

據報導，該前工程師竊取了600項DRAM工藝，涉及10nm級DRAM技術，造成萬億韓元損失，並加速了對手HBM2產品的上市。

來源：https://tw.news.yahoo.com/%E5%90%91%E4%B8%AD%E5%9C%8B%E4%BC%81%E6%A5%AD%E6%B4%A9%E9%9C%B2%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E6%8A%80%E8%A1%93-%E4%B8%89%E6%98%9F%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%89%8D%E5%93%A1%E5%B7%A5%E8%A2%AB%E5%88%A47%E5%B9%B4-085240698.html