追趕三星、海力士，國產存儲雙雄競逐上市
背景與市場趨勢
在全球AI伺服器需求激增、美光退出消費級市場、三星與SK海力士產能向高頻寬記憶體（HBM）傾斜的背景下，國產DRAM與NAND在中高端通用市場獲得前所未有的替代窗口。
國產存儲發展進展
中國本土存儲企業積極推動技術替代，其中長江存儲作為國產NAND閃存的領先企業，已提交IPO上市輔導備案，正式開啟上市進程。
技術與產業競爭
雖然國產存儲企業在技術上持續進步，例如刻蝕設備已達5nm節點並獲得臺積電驗證，逐步搶佔國際市場份額，但整體技術代差、產能規模與國際品牌影響力，仍使南韓與臺灣企業在AI晶片與高階記憶體領域主導權穩固。
國際對比與產業格局
韓國兩大存儲芯片製造商三星電子與SK海力士持續強化產品開發競爭，尤其在HBM技術領域表現突出，例如SK海力士已將HBM4樣本送交輝達，並預計於10月開始量產，三星則在HBM4預生產階段持續推進。