國產RRAM：閃耀ISSCC
中國團隊在ISSCC 2026展示ReRAM存算一體芯片
中國團隊於2026年2月15日至19日在美國舊金山舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上，展示了基於阻變存儲器（ReRAM）的存算一體芯片。該芯片採用55nm成熟製程，成功實現AI推理功能的突破，標誌著中國在先進存儲技術領域取得重要進展。
技術背景與產業意義
隨著全球半導體產業聚焦於先進製程，中國團隊以成熟製程實現AI推理突破，展現了在高效率、低成本計算方案上的創新能力。此技術不僅降低了對先進製程的依賴，也為AI芯片的普及提供了可行路徑。
相關研究與產業動態
- 清華大學集成電路研究團隊在ISSCC上亦有亮眼表現，持續推動中國在半導體領域的技術發展。
- 北京大學研究人員亦在相關領域提出新型存算一體智能芯片，集成8Mb阻變存儲器（RRAM），顯示中國在新型存儲器技術上的廣泛佈局。
- 追覓科技宣佈其“芯際穿越‘天穹’系列芯片”正式量產，進一步推動國產RRAM在實際應用中的落地。
此成果不僅體現了中國在半導體存儲技術上的自主創新能力，也反映出中國團隊在國際頂尖學術會議中日益增強的影響力。