300mm氮化鎵，全球首發
事件概述
根據36氪報導，在 IEEE 尖端會議 IEDM 2025 上，英特爾首次展示了一種基於 300mm 硅基氮化鎵工藝的氮化鎵 Chiplet 技術。該 Chiplet 以 300mm 滿足大尺寸晶圓製造，並實現與 CMOS 電路的整合，呈現出穩定且可靠的性能。
技術要點
- 採用 300mm 硅基氮化鎵工藝，實現大尺寸晶圓的制造與整合。
- 氮化鎵 Chiplet 的厚度約 19 微米。
- 與 CMOS 電路整合，實現一體化系統。
- 演示顯示該技術具備穩定、可靠的性能表現。