丁薛祥調研華為晶片基礎技術實驗室 與任正非交流

丁薛祥調研華為晶片基礎技術實驗室 與任正非交流

調研背景與重點

中國國務院副總理丁薛祥近期前往華為位於上海的練秋湖研發中心,調研「晶片基礎技術研究實驗室」,並與華為創辦人任正非進行交流。

政策與目標

丁薛祥強調,要提升基礎研究水準與原始創新能力,並呼籲科技領軍企業敢於做「從0到1」的原創突破。

相關資訊

  • 此調研行動緊接中國國家主席習近平於4月30日呼籲加強基礎研究後進行。
  • 丁薛祥肯定科技領軍企業在基礎研究方面取得的成效,並指出企業不僅要擅長從1到100的成果轉化,更需有敢於從0到1的原創能力。

來源連結

聯合早報:丁薛祥調研華為晶片基礎技術實驗室與任正非交談

來源:https://tw.news.yahoo.com/%E4%B8%81%E8%96%9B%E7%A5%A5%E8%AA%BF%E7%A0%94%E8%8F%AF%E7%82%BA%E6%99%B6%E7%89%87%E5%9F%BA%E7%A4%8E%E6%8A%80%E8%A1%93%E5%AF%A6%E9%A9%97%E5%AE%A4-%E8%88%87%E4%BB%BB%E6%AD%A3%E9%9D%9E%E4%BA%A4%E6%B5%81-023709894.html

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