三問存儲芯片荒
主流存儲芯片分類
主流存儲芯片主要分為三類：DRAM內存（含高帶寬內存HBM）、NAND閃存（NAND Flash）、NOR閃存（NOR FLash）。它們分工明確，共同支撐起所有智能設備的記憶與思考。
供需緊張與產業影響
隨著全球科技巨頭對AI算力的病態渴求，高端存儲芯片的產能已被預訂一空。這導致消費級顯卡所依賴的顯存顆粒在供應鏈中正被逐漸邊緣化。
存儲芯片短缺問題已影響至多個領域，包括人工智能硬件、消費級顯卡及數據中心建設。例如，英偉達因存儲芯片短缺，不得不降低RTX 50 Super系列顯卡的生產優先級，以保障其AI產品線。
行業預測與未來展望
英特爾首席執行官陳立武預測，存儲芯片短缺局面至少還將持續兩年，要到2028年才能有所緩解。
行業人士警告，內存短缺將持續至2027年，甚至可能影響到消費者購買手機、電腦的決策。
此外，存儲芯片短缺也對半導體企業業績造成衝擊，例如高通因供應短缺導致其業績指引不及預期，股價盤後暴跌10%。
供應鏈挑戰
存儲芯片短缺不僅反映在產能上，也暴露了全球半導體供應鏈的脆弱性。從設計到製造，再到封裝，各環節均面臨巨大壓力。
有分析指出，若要滿足未來AI算力需求，需大幅提升芯片產量，例如每顆芯片持續運行1千瓦，100GW將需要1億顆全光罩芯片，這要求TeraFab等企業必須同時具備邏輯、存儲與封裝能力。