晶圓代工：角逐1nm先進製程

行業背景與趨勢

芯片製造工藝正邁入“埃米時代”，晶圓代工行業面臨前所未有的技術挑戰與競爭格局。隨著製程節點的不斷微縮，全球主要晶圓廠正全力佈局1nm級先進製程，以爭奪未來的市場話語權。

主要廠商策略與目標

• 三星電子：已定下2030年前完成1nm級先進製程工藝SF1.0開發並轉移至量產階段的目標，意圖與臺積電爭奪先進製程主導權。
• 臺積電：規劃首個埃米級工藝A10（1nm）將於2030年正式面世。屆時採用臺積電3D封裝技術的芯片，晶體管數量將突破1萬億個。
• 英特爾：預計2025年量產1.8nm級芯片，並持續推動製程演進。
• 中芯國際：規劃“N+”等先進製程路線，緊跟全球技術步伐。

技術突破與良率提升

通過使用High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻）技術，晶圓廠能夠實現“一次曝光完成傳統三次曝光的工藝”，顯著簡化芯片製造流程並提升良率，這大大推動了半導體技術的進步。此外，臺積電計劃從2022年開始量產1nm芯片，並逐步推進後續節點。

市場競爭格局

晶圓代工行業重資產、長週期、高壁壘，市場集中度高，TOP5合計市佔率高達89.7%，呈現寡頭壟斷格局。未來，晶圓代工製程節點將持續向前推進，先進製程競賽日益激烈。業界預計2027年至2030年，有望看到1nm級別芯片量產。