混合鍵合，拐點已至？
JEDEC標準放寬，推動HBM技術進展
JEDEC正在討論將HBM高度標準從775微米放寬至約900微米，新標準預計從第七代HBM4E開始生效。這項調整意味著使用現有TC鍵合設備在更厚的芯片上堆疊更多層變得可行，為混合鍵合技術的應用帶來重大突破。
設備商積極佈局，產業鏈加速發展
SK海力士預計將從下一代HBM產品開始大規模應用混合鍵合工藝，同時部分企業已收到三星電子提供的鍵合晶圓樣品。東興證券指出，混合鍵合技術正從先進選項轉變為AI時代的必要技術。
技術瓶頸與未來發展方向
混合鍵合技術仍面臨缺陷、翹曲、量測、熱管理、成本與標準化六大瓶頸，需透過聚合物低溫雜化鍵合、全流程缺陷管控、納米技術等工程手段加以解決。未來十年，混合鍵合將成為後摩爾時代的核心技術路線之一。
市場成長潛力
根據Yole Group預測，混合鍵合設備在2025年至2030年間將以21%的複合年增長率擴張，成為先進封裝領域增長最快的細分市場，主要應用於人工智能、高性能計算及其他基於AI的領域。