為何死磕EUV光刻？
高數值孔徑EUV光刻技術的突破
高數值孔徑極紫外光刻技術帶來的分辨率飛躍，使1.5D和2D曼哈頓式設計得以重新應用，甚至能夠引入曲線幾何形狀和路徑。這不僅為芯片設計人員提供了更大的靈活空間，也推動了更精細芯片的製造成為可能。
全球技術競爭與產業格局
ASML死磕EUV技術，不僅代表了荷蘭在光刻機領域的領先地位，也反映出全球半導體產業的激烈競爭。中國在這一領域雖面臨技術落差，但正積極探索多重曝光技術、納米壓印技術、粒子加速器光源等替代路徑，例如清華大學團隊提出的穩態微聚束光源概念，被視為潛在突破方向。
美國對中國技術的限制
美國以極紫外光刻機（EUV）含美國技術為由，要求ASML停止向中國發售EUV，荷蘭政府因此拒絕配合。此舉被視為對華芯片產業的直接打壓，也凸顯了EUV技術在全球半導體供應鏈中的關鍵地位。
EUV光刻機的技術複雜性
EUV光刻機的光源並非傳統燈泡，而是通過高功率二氧化碳激光器轟擊錫滴（直徑微米級）產生，每秒有5萬滴錫滴落下，其內部精密程度已逼近物理學、材料學與製造工藝的極限。這種複雜性也意味著，單一“物理堆砌”已無法繼續推進技術演進。
中國技術發展現狀
儘管中國在EUV光刻機領域仍面臨巨大挑戰，如缺乏製造能力，目前尚無企業能獨立製造EUV光刻機，但已有研究團隊在探索替代方案，例如納米壓印與微聚束光源，試圖突破技術瓶頸。