突破“存儲牆”，三路並進
摘要
本文基於台積電的技術藍圖，聚焦 SRAM、MRAM、CIM 為核心，結合 3D 封裝與計算-存儲融合的全棧技術體系，深入剖析面向 AI 計算的高速嵌入式存儲器的技術演進、現況與挑戰，說明三路並進的策略以突破存儲牆。
技術路線
- SRAM：提供高速暫存與低延遲存取，作為嵌入式快取的核心。
- MRAM：非揮發性記憶體，兼顧密度與耐久性，降低功耗。
- CIM（Compute-In-Memory）：在存儲單元內進行計算，降低資料搬移，提升整體效能。
- 3D 封裝與計算-存儲融合：通過先進封裝與混合架構整合存儲與計算，實現高帶寬低延遲的整合解決方案。
影響與展望
透過 SRAM、MRAM、CIM 的三路並進與 3D 封裝與計算-存儲融合的整合，預期可提升資料存取速度、降低能耗、提高系統密度，推動 AI 計算與嵌入式存儲器的發展。