HBM，撞牆了
HBM技術的演進與現狀
如果用一個詞概括HBM這幾年來的進化，那就是：堆得越來越高。HBM本質上是一種「把DRAM垂直疊起來」的儲存技術。層數越高，單顆HBM的容量越大、帶寬越高，成為高運算效能裝置中不可或缺的關鍵技術。
產業現況與技術挑戰
目前產業中，HBM層數不斷增加，16層HBM已接近量產前夜。然而，隨著技術的推進，產業界開始出現「撞牆」的現象，認為HBM技術發展已達極限，未來可能需要透過混合鍵合（hybrid bonding）等新技術來突破。
部分產業觀察認為，SK海力士認為Fluxless技術為時尚早，產業內部對於未來技術路線出現了「革命」與「改良」兩種聲音。
記憶體壁與替代技術
過去幾年，業界普遍存在一種悲觀情緒：SRAM縮放也已撞牆。在臺積電的5nm到3nm演進中，邏輯晶體管（計算單元）縮小了約1.6倍，但SRAM單元幾乎沒有明顯進步，顯示記憶體與處理器之間的頻寬差距持續擴大。
此外，基於馮諾依曼架構的計算在半導體技術發展過程中早已屢屢撞牆，許多技術發展先後著手於此問題，例如高速介面、高頻寬記憶體（HBM）等，皆試圖解決資料傳輸的頻寬限制。
未來發展方向
新一代高效能系統正面臨資料傳輸的頻寬限制，即記憶體撞牆的問題。透過電子設計自動化與3D製程技術，如3D SoC設計，能大幅提升性能並降低功耗，成為解決此問題的潛在途徑。
愛美科證實，3D SoC設計能有效應對記憶體壁問題，並為未來高階系統提供更優的整合方案。